NPN General Purpose Transistors BCW 60 handbook
Contents
1. 300 us duty cycle lt 2 Gemessen mit Impulsen t 300 us Schaltverh ltnis lt 2 Mounted on P C board with 3 mm copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag L tpad an jedem Anschlu 01 11 2003 392. D O0 BEWaODI O I _ R General Purpose Transistors Surface mount Si Epitaxial PlanarTransistors Si Epitaxial PlanarTransis r die Oberfl chenmontage NPN Power dissipation Verlustleistung 250 mW 29 Ai Plastic case SOT 23 0 4 T Kunststoffgeh use TO 236 E 4 a 2 Weight approx Gewicht ca 0 018 E E lr I Plastic material has UL classification 94V 0 Zu Geh usematerial UL94V 0O klassifiziert Dimensi ns Mabe inmi Standard packaging taped and reeled 1 B 2 E 3 C Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings T 25 C Grenzwerte T 25 C Collector Emitter voltage B open Collector Base voltage E open Emitter Base voltage C open Power dissipation Verlustleistung Peak Collector current Kollektor Spitzenstrom Icm Peak Base current Basis Spitzenstrom bm Junction temperature Sperrschichttemperatur Storage temperature Lagerungstemperatur Collector current Kollektorstrom DC Characteristics T 25 C Kennwerte T 25 C Collector Base cutoff current Kollektorreststrom I 0 Veg 32 V Iz 0 Vcg 32 V T 150 C Emitter Base cutoff current Emitterreststrom I 0 Va 4 V Ic 10 mA I 0 25 mA Ic 50 mA I 1 25 mA 1 Mounted on P C board with 3 mm copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag L tpad an jedem Anschlu Tested with pulses t 300 ps duty cycle lt 2 Gem
3. essen mit Impulsen t 300 ps Schaltverh ltnis lt 2 38 01 11 2003 ransistors R O U Characteristics T 25 C Kennwerte T 25 C 600 mV 850 mV 700 mV 1050 mV Base saturation voltage Basis S ttigungsspanfing Ic 10 mA I 0 25 mA VBEsat I 50 mA I 1 25 mA Vpesat DC current gain Kollektor Basis Stromverh ltnis BCW 60B hyg 20 V 5 V c 10 pA BCW 60C hyg BCW 60D hp 100 BCW 60B hpg 180 310 V 5 V le 2 mA BCW 60C hg 250 460 BCW 60D hy 380 630 BCW 60B hpg V 1 V Ie 50 mA BCW 60C hy BCW 60D h Base Emitter voltage Basis Emitter Spannung V 5 V e 10 pA Via 520 mV Va 35V l 2mA V Eon 550 mV 650mV 700 mV V 1 V Ie 50 mA Von 780 mV Gain Bandwidth Product Transitfrequenz Ve 5 V Ie 10 mA f 100 MHz fr 100 MHz 250 MHz Collector Base Capacitance Kollektor Basis Kapazit t Ves 10 V h i 0 f 1 MHz Cehi Emitter Base Capacitance Emitter Basis Kapazit t Vs 0 5 V Ie i 0 f 1 MHz Cib 11 pF Noise figure Rauschzahl V 5 V Ie 200 A Ro 2 KQ f 1 kHz Af 200 Hz Thermal resistance junction to ambient air 2 W rmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft 420 K W Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplement re PNP Transistoren PEW GL pemg Marking Stempelung BCW 60B AB BCW60C AC BCW 60D AD Tested with pulses t
Download Pdf Manuals
Related Search
NPN General Purpose Transistors BCW 60 handbook